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Beyond-Si Logic and Emerging Neuromorphic Memory for Monolithic 3D SoC Integration

创建于2019年06月24日 星期一作者 : 科研办 浏览量 :

主讲人:唐建石,清华大学微电子所
时  间:2019年6月25日14:30
地  点:物电澳门新普京下载A栋316
联系人:刘渊

 

 

讲座摘要:随着摩尔定律的放缓以及冯?诺依曼瓶颈的显现,未来亟需引入新材料与新计算架构来进一步提高芯片性能和能效比。本次报告将首先介绍基于碳纳米管的高性能逻辑电路技术和柔性电路与传感器,讨论其面临的主要技术挑战,并介绍我们在材料、器件、电路与集成等方向上的最新研究进展。在报告的后半部分,我们将讨论新型存储器在类脑计算领域的应用,并着重介绍基于离子嵌入的非挥发性电化学存储器(ECRAM)。与传统的RRAM、PCM等器件相比,ECRAM展现出高对称性、高线性度、低随机性的模拟阻变翻转特性,因此在高效能的类脑计算上具有很大的应用潜力。展望未来芯片的发展趋势,基于上述纳米逻辑电路、传感器和新型存储器,我们将介绍“感存算一体“的三维片上集成系统,通过高带宽的层间数据互连来实现跟高效的数据获取、计算和存储。


 

主讲人简介:唐建石,清华大学微电子所助理教授、博士生导师。2008年获清华大学微纳电子系学士学位,2014年获美国UCLA电子工程系博士学位,2015-2019年在美国IBM T. J. Watson Research Center工作,入选第十四届国家“千人计划”青年项目,先后获NT18 “Best Young Scientist Award”、IEEE “Best Lightning Talk”、IBM Invention Achievement Awards、IBM Research Pat Goldberg Memorial Best Paper Award等奖项。主要研究方向包括新型存储器与类脑计算、碳纳米管电子学与柔性电子学、纳米材料自旋电子学等,承担或参与国家研究中心青年创新基金、科技部国家重点研发计划等项目。近年来在Nature Nanotechnology、Nature Electronics、Nature Materials、Science、Nano Letters、ACS Nano、IEDM等知名期刊和国际会议上发表论文近60篇,引用超过3700次,编写图书章节4章,并申请国外发明专利20余项(已授权4项)。担任IEEE-NANO、CMSE、MEAMT、ACMMT等国际会议的技术委员会成员(Technical Program Committee),以及Nature Communications,Advanced Materials, Nano Letters, ACS Nano等杂志审稿人。

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