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薛春来报告:面向后摩尔时代应用的硅基Ⅳ族异质材料制备与器件

创建于2016年05月26日 星期四作者 : wlxyuser1 浏览量 :

报告人:薛春来研究员(中国科澳门新普京下载半导体研究所)

联系人:潘安练教授

时 间:5月26日11:00

地 点:物理楼307

报告人简介:

中国科澳门新普京下载半导体研究所、光电子研发中心/集成光电子学国家重点实验室 研究员。1998年9月 – 2002年7月吉林大学电子工程系电子材料与元器件专业学习,获工学学士学位;2002年9月– 2007年7月中国科澳门新普京下载半导体研究所微电子学与固体电子学专业学习,2007年获博士学位。随后在中国科澳门新普京下载半导体研究所光电子研发中心工作。

薛春来研究员长期致力于硅基异质材料外延及光子学器件的研究。系统开展了Si/GeSi、Si/Ge、Si/GeSn等异质结材料外延生长及相关器件的研究,在SiGe HBT器件、Si基Ge、GeSn等异质材料与器件以及Si光子学集成技术等方面取得了一系列创新性成果。作为课题负责人主持国家自然基金项目3项,973课题1项。在Optics Express、Applied Physics Letters 等国内外刊物发表文章80余篇,其中SCI、EI收录70余篇,授权专利多项。期间在2012年入选中国科澳门新普京下载青年创新促进会会员(全院每年300名);2013年获得中国科澳门新普京下载半导体研究所“青年科技奖”(45岁以下,全所每年5名);2015年获得中国科澳门新普京下载“卢嘉锡青年人才奖”。

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