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张建军讲座:SiGe nanostructures: growth phenomena and device

创建于2014年12月02日 星期二作者 : wlxyuser1 浏览量 :

学术报告:SiGe nanostructures: growth phenomena and device applications
题目:SiGe nanostructures: growth phenomena and device applications
报告人:张建军特聘研究员(中科院物理所)
联系人:文双春 教授
时间:2014125日(星期五)上午9001000
地点: 物理楼307(学术报告厅)
报告内容简介:Ge nanostructures on Si(001) are interesting not only for understanding fundamental properties of heteroepitaxial growth but also for their applications in electronic devices. Firstly, I will talk about the site-controlled growth of ordered SiGe islands and the first demonstrated devices with tensile strained Si channel on top of buried SiGe islands with enhanced electron mobility. Secondly, I will report on a new method to directly and horizontally grow micron-long Ge nanowires on Si(001) with a height of only 3 unit cells. First transistor-type devices made from single wires show low-resistive electrical contacts and single hole transport. Such Ge wires hold promise for observing exotic quantum states, like Majorana fermions, and provide a new development route for silicon-based nanoelectronics. Lastly, I will show you novel 1D Ge nanostructures, such as nanowire bundles, dumbbells, matchsticks and dot chains, observed by carefully tuning the strain fields.


 报告人简介:张建军博士,中科院物理所特聘研究员,博士生导师,入选中科院“百人计划”。1978年生,湘潭大学物理系本科,硕士。2005-2010年德国马普固体研究所和奥地利约翰开普勒大学联合培养博士生并获博士学位。2010-2012年德国莱布尼兹固体和材料研究所从事博士后研究。2013年澳大利亚量子计算和通讯技术卓越中心独立开展原子尺度半导体器件的研究。主要研究领域为低维半导体材料的分子束外延生长、物性和光电子器件研究。主要研究贡献为发现了大规模无催化剂生长锗量子线的新方法,在零维量子点被发现22年之后把它推广到了一维量子线;共同发明了用锗硅量子点构造应变硅来提高电子迁移率的晶体管等。

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